Vishay Siliconix SI3459BDV-T1-GE3
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- SI3459BDV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3459BDV-T1-GE3 Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1016
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SI3459BDV-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 216mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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