Vishay Siliconix SI5499DC-T1-GE3
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- SI5499DC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI5499DC-T1-GE3 Datenblatt
- 8-SMD, Flat Lead
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 26388
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| Teilenummer SI5499DC-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SMD, Flat Lead |
| Gerätepaket des Lieferanten 1206-8 ChipFET™ |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 800mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 8 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1290 pF @ 4 V |
| Vgs (Max) ±5V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.5V, 4.5V |
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