Vishay Siliconix SI4668DY-T1-E3
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- SI4668DY-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4668DY-T1-E3 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1919
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| Teilenummer SI4668DY-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC |
| Paket 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Serie TrenchFET? |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SO |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16.2A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.6V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1654pF @ 15V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) ±16V |
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Bemerkungen
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In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
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