Vishay Siliconix SI4778DY-T1-E3
Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation
- SI4778DY-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4778DY-T1-E3 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 822
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Lieferservice:
Zahlungsarten:
| Teilenummer SI4778DY-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 25V 8A 8SO |
| Paket Tube |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 680 pF @ 13 V |
| Vgs (Max) ±16V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
SI4778DY-T1-E3 Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu SI4778DY-T1-E3 ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
SI4778DY-T1-E3 Verwandte Produkte
Bemerkungen
Vishay Siliconix
In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
Vishay Siliconix products mainly include high-performance power MOSFETs, insulated gate bipolar transistors, power...
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI1414DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI1031R-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI1330EDL-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
SI3457CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
