Vishay Siliconix SI6469DQ-T1-GE3
- SI6469DQ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI6469DQ-T1-GE3 Datenblatt
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 16219
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Teilenummer SI6469DQ-T1-GE3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 8TSSOP |
Paket 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Serie TrenchFET? |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-TSSOP |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) |
FET-Typ P-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @Id 450mV @ 250µA (Min) |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 1.8V, 4.5V |
Vgs (Max) ±8V |
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Bemerkungen
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