SI6469DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix SI6469DQ-T1-GE3

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  • SI6469DQ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SI6469DQ-T1-GE3 Datenblatt
  • 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 16219
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
SI6469DQ-T1-GE3
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
Paket
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Serie
TrenchFET?
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-TSSOP
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @Id
450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V

SI6469DQ-T1-GE3 Garantien

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