Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q
- TPN1110ENH,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPN1110ENH,L1Q Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2614
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TPN1110ENH,L1Q |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
Paket -Reel® |
Serie U-MOSVIII-H |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 39W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 200µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 600 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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