TPN1110ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q

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  • TPN1110ENH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TPN1110ENH,L1Q Datenblatt
  • 8-PowerVDFN
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2614
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TPN1110ENH,L1Q
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Paket
-Reel®
Serie
U-MOSVIII-H
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
600 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TPN1110ENH,L1Q Garantien

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Toshiba Semiconductor and Storage is a company dedicated to the research, development, production, and sales of semiconductor and storage solutions. In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...
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