Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1
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- SI8429DB-T1-E1
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8429DB-T1-E1 Datenblatt
- 4-XFBGA, CSPBGA
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 27717
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| Teilenummer SI8429DB-T1-E1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 4-XFBGA, CSPBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten 4-Microfoot |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 800mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1640 pF @ 4 V |
| Vgs (Max) ±5V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.2V, 4.5V |
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