Vishay Siliconix SIA466EDJ-T1-GE3
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- SIA466EDJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIA466EDJ-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® SC-70-6
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4369
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| Teilenummer SIA466EDJ-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SC-70-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 620 pF @ 1 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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