Vishay Siliconix SIR5102DP-T1-RE3
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- SIR5102DP-T1-RE3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIR5102DP-T1-RE3 Datenblatt
- PowerPAK® SO-8
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 9606
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| Teilenummer SIR5102DP-T1-RE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® Gen V |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SO-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 27A (Ta), 110A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2850 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 7.5V, 10V |
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Bemerkungen
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