Vishay Siliconix SISS27ADN-T1-GE3
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- SISS27ADN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SISS27ADN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8S
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4855
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SISS27ADN-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® Gen III |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 1212-8S |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8S |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 57W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4660 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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