Vishay Siliconix SQM47N10-24L_GE3
- SQM47N10-24L_GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SQM47N10-24L_GE3 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26037
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer SQM47N10-24L_GE3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 47A TO263 |
Paket Tube |
Serie TrenchFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten TO-263 (D²Pak) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 136W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 47A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3620 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
SQM47N10-24L_GE3 Garantien
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Bemerkungen
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