Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T(TE85L,F)
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- SSM3K303T(TE85L,F)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SSM3K303T(TE85L,F) Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3288
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SSM3K303T(TE85L,F) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM |
| Paket Bulk |
| Serie π-MOSVII |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TSM |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.6V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 180 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4V, 10V |
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