Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8001-H(TE12LQM
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- TPCC8001-H(TE12LQM
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPCC8001-H(TE12LQM Datenblatt
- 8-VDFN Exposed Pad
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1977
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TPCC8001-H(TE12LQM |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie U-MOSV-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-VDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2500 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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