Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU,LF(T
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- SSM6J502NU,LF(T
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SSM6J502NU,LF(T Datenblatt
- 6-WDFN Exposed Pad
- 6-WDFN Exposed Pad
-
Lead free / RoHS Compliant - 4256
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| Teilenummer SSM6J502NU,LF(T |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| Paket 6-WDFN Exposed Pad |
| Serie U-MOSVI |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 6-WDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-UDFNB (2x2) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1W (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1800pF @ 10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 1.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) ±8V |
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