STMicroelectronics STD80N10F7
- STD80N10F7
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STD80N10F7 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2079
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STD80N10F7 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 70A DPAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 85W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 70A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3100 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
STD80N10F7 Garantien
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