STL100N12F7

STMicroelectronics STL100N12F7

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • STL100N12F7
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STL100N12F7 Datenblatt
  • 8-PowerVDFN
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 980
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STL100N12F7
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
PowerFlat™ (5x6)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3300 pF @ 60 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STL100N12F7 Garantien

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