STMicroelectronics STGW60H65DFB
- STGW60H65DFB
- STMicroelectronics
- IGBT 650V 80A 375W TO-247
- Transistors - IGBTs - Single
- STGW60H65DFB Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26330
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STGW60H65DFB |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung IGBT 650V 80A 375W TO-247 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247 |
Power-Max 375 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A |
Gate-Gebühr 306 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 51ns/160ns |
Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 240 A |
Energie wechseln 1.09mJ (on), 626µJ (off) |
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