Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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- TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4200
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Zahlungsarten:
| Teilenummer TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P-CH 60V 8A DPAK |
| Paket Bulk |
| Serie U-MOSVI |
| Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten DPAK+ |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 27W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 890 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) +10V, -20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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