Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1,S1X
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- TK100E10N1,S1X
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK100E10N1,S1X Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4661
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| Teilenummer TK100E10N1,S1X |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 100A TO220 |
| Paket Tube |
| Serie U-MOSVIII-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 255W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 8800 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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