Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
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- TPC6012(TE85L,F,M)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPC6012(TE85L,F,M) Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1664
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TPC6012(TE85L,F,M) |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 6A VS-6 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie U-MOSIV |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten VS-6 (2.9x2.8) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.2V @ 200µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 630 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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