TK12A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D(STA4,Q,M)

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  • TK12A50D(STA4,Q,M)
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TK12A50D(STA4,Q,M) Datenblatt
  • TO-220-3 Full Pack
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 19745
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TK12A50D(STA4,Q,M)
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Paket
Tube
Serie
π-MOSVII
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220SIS
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1350 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TK12A50D(STA4,Q,M) Garantien

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