TK56E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1,S1X

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  • TK56E12N1,S1X
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N CH 120V 56A TO-220
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TK56E12N1,S1X Datenblatt
  • TO-220-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12748
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TK56E12N1,S1X
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Paket
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
168W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4200 pF @ 60 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TK56E12N1,S1X Garantien

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