Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ
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- TK160F10N1L,LQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK160F10N1L,LQ Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 19906
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| Teilenummer TK160F10N1L,LQ |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM |
| Paket -Reel® |
| Serie U-MOSVIII-H |
| Betriebstemperatur 175°C |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220SM(W) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 375W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 160A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 10100 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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