Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S
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- TK18E10K3,S1X(S
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK18E10K3,S1X(S Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 10212
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Part Number TK18E10K3,S1X(S |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3 |
| Package Tube |
| Series U-MOSIV |
| Operating Temperature 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-220-3 |
| Supplier Device Package TO-220-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) - |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - |
| Vgs (Max) - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case TO-220-3 |
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