Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S
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- TK18E10K3,S1X(S
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK18E10K3,S1X(S Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 10212
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| Teilenummer TK18E10K3,S1X(S |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3 |
| Paket Tube |
| Serie U-MOSIV |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id - |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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