Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3,S1X(S
- TK25E06K3,S1X(S
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK25E06K3,S1X(S Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 12337
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer TK25E06K3,S1X(S |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3 |
Paket Tube |
Serie U-MOSIV |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 60W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id - |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
Vgs (Max) - |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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