Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W,RVQ
- TK6P60W,RVQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK6P60W,RVQ Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 7139
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TK6P60W,RVQ |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie DTMOSIV |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten DPAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 60W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion Super Junction |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 820mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.7V @ 310µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 390 pF @ 300 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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