TPC8062-H,LQ(CM

Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H,LQ(CM

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  • TPC8062-H,LQ(CM
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TPC8062-H,LQ(CM Datenblatt
  • 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width)
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1663
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TPC8062-H,LQ(CM
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOP
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
2.3V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2900 pF @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
4.5V, 10V

TPC8062-H,LQ(CM Garantien

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