Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H,LQ(CM
- TPC8062-H,LQ(CM
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPC8062-H,LQ(CM Datenblatt
- 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1663
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TPC8062-H,LQ(CM |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie U-MOSVII-H |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.173\", 4.40mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 300µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2900 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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