Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W,S4VX
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- TK8A60W,S4VX
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK8A60W,S4VX Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 6593
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| Teilenummer TK8A60W,S4VX |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie DTMOSIV |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220SIS |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Super Junction |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.7V @ 400µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 570 pF @ 300 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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