TP65H035G4WSQA

Transphorm TP65H035G4WSQA

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  • TP65H035G4WSQA
  • Transphorm
  • 650 V 46.5 GAN FET
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TP65H035G4WSQA Datenblatt
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4113
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TP65H035G4WSQA
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
650 V 46.5 GAN FET
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1500 pF @ 400 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TP65H035G4WSQA Garantien

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