Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M
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- TPCF8B01(TE85L,F,M
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPCF8B01(TE85L,F,M Datenblatt
- 8-SMD, Flat Lead
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 24144
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| Teilenummer TPCF8B01(TE85L,F,M |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie U-MOSIII |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SMD, Flat Lead |
| Gerätepaket des Lieferanten VS-8 (2.9x1.5) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 330mW (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.2V @ 200µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 470 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.8V, 4.5V |
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