Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G
- TSM60N1R4CH C5G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM60N1R4CH C5G Datenblatt
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3901
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Teilenummer TSM60N1R4CH C5G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Gerätepaket des Lieferanten TO-251 (IPAK) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 38W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.3A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 370 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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