Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW C1G
- TSM60NB041PW C1G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TSM60NB041PW C1G Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3207
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TSM60NB041PW C1G |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247 |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 446W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 78A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 21.7A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6120 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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