TSM60NB099PW C1G

Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G

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  • TSM60NB099PW C1G
  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TSM60NB099PW C1G Datenblatt
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 27863
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TSM60NB099PW C1G
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
329W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2587 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TSM60NB099PW C1G Garantien

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