WeEn Semiconductors WNSC2D10650TJ
- WNSC2D10650TJ
- WeEn Semiconductors
- SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Diodes - Rectifiers - Single
- WNSC2D10650TJ Datenblatt
- 4-VDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2386
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer WNSC2D10650TJ |
Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
Hersteller WeEn Semiconductors |
Beschreibung SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 4-VDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 5-DFN (8x8) |
Diodentyp Silicon Carbide Schottky |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 10A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 50 µA @ 650 V |
Kapazität@Vr,F 310pF @ 1V, 1MHz |
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650 V |
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns |
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle 175°C |
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