NXP USA Inc. A2T18S165-12SR3
- A2T18S165-12SR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A2T18S165-12SR3 Datenblatt
- NI-780-2S2L
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 14244
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer A2T18S165-12SR3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Hersteller NXP USA Inc. |
Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Paket/Koffer NI-780-2S2L |
Gerätepaket des Lieferanten NI-780-2S2L |
Frequenz 1.805GHz ~ 1.995GHz |
Gewinnen 18dB |
Rauschzahl - |
Leistungsabgabe 148W |
Transistortyp LDMOS |
Spannungstest 28 V |
Stromtest 800 mA |
Spannungsbewertet 65 V |
Nennstrom (Ampere) 10µA |
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Bemerkungen
NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...

A2T18S166W12SR3
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

A2T21S161W12SR3
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