Infineon Technologies BFP640E6327
- BFP640E6327
- Infineon Technologies
- RF BIPOLAR TRANSISTOR
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BFP640E6327 Datenblatt
- SC-82A, SOT-343
- Bag
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1538
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer BFP640E6327 |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung RF BIPOLAR TRANSISTOR |
Paket Bag |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SC-82A, SOT-343 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-SOT343-4 |
Gewinnen 24dB |
Power-Max 200mW |
Transistortyp NPN |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 4.5V |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V |
Frequenzübergang 40GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
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