BFP740E6327

Infineon Technologies BFP740E6327

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  • BFP740E6327
  • Infineon Technologies
  • RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BFP740E6327 Datenblatt
  • SC-82A, SOT-343
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1436
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BFP740E6327
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-82A, SOT-343
Gerätepaket des Lieferanten
PG-SOT343-4
Gewinnen
27dB
Power-Max
160mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
30mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
4.7V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
160 @ 25mA, 3V
Frequenzübergang
42GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

BFP740E6327 Garantien

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