HSG1002VE-TL-E

Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E

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  • HSG1002VE-TL-E
  • Renesas Electronics America Inc
  • RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • HSG1002VE-TL-E Datenblatt
  • 4-SMD, Gull Wing
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 19549
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
HSG1002VE-TL-E
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
4-SMD, Gull Wing
Gerätepaket des Lieferanten
4-MFPAK
Gewinnen
8dB ~ 19.5dB
Power-Max
200mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
35mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
3.5V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 5mA, 2V
Frequenzübergang
38GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

HSG1002VE-TL-E Garantien

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