Infineon Technologies BFR181E6327
- BFR181E6327
- Infineon Technologies
- LOW-NOISE TRANSISTOR
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BFR181E6327 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3245
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer BFR181E6327 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung LOW-NOISE TRANSISTOR |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-SOT23 |
| Gewinnen 18.5dB |
| Power-Max 175mW |
| Transistortyp NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 20mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 12V |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V |
| Frequenzübergang 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
BFR181E6327 Garantien



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