BFR360L3E6765

Infineon Technologies BFR360L3E6765

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  • BFR360L3E6765
  • Infineon Technologies
  • LOW-NOISE SI TRANSISTOR
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BFR360L3E6765 Datenblatt
  • SC-101, SOT-883
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4704
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BFR360L3E6765
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TSLP-3-1
Gewinnen
11.5dB ~ 16dB
Power-Max
210mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
35mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
9V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
90 @ 15mA, 3V
Frequenzübergang
14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

BFR360L3E6765 Garantien

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