BFR182E-6327

Infineon Technologies BFR182E-6327

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  • BFR182E-6327
  • Infineon Technologies
  • RF N-CHANNEL MOSFET
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BFR182E-6327 Datenblatt
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 25610
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BFR182E-6327
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
RF N-CHANNEL MOSFET
Paket
Bulk
Serie
Automotive, AEC-Q101, BFR182
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23
Gewinnen
9.5dB
Power-Max
250mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
35mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
12V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Frequenzübergang
8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
1.3dB @ 1.8GHz

BFR182E-6327 Garantien

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