BFP183WE6327

Infineon Technologies BFP183WE6327

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  • BFP183WE6327
  • Infineon Technologies
  • RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BFP183WE6327 Datenblatt
  • SC-82A, SOT-343
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2942
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BFP183WE6327
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-82A, SOT-343
Gerätepaket des Lieferanten
PG-SOT343-4
Gewinnen
22dB
Power-Max
450mW
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
65mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
12V
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Frequenzübergang
8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

BFP183WE6327 Garantien

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