NXP USA Inc. BLF6G20-180PN112
- BLF6G20-180PN112
- NXP USA Inc.
- RF POWER TRANSISTORS
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BLF6G20-180PN112 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3843
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| Teilenummer BLF6G20-180PN112 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung RF POWER TRANSISTORS |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Gewinnen - |
| Power-Max - |
| Transistortyp - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce - |
| Frequenzübergang - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) - |
BLF6G20-180PN112 Garantien



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Bemerkungen
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NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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