BLF7G22L-130112

NXP USA Inc. BLF7G22L-130112

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  • BLF7G22L-130112
  • NXP USA Inc.
  • RF POWER TRANSISTORS
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
  • BLF7G22L-130112 Datenblatt
  • -
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  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3101
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
BLF7G22L-130112
Kategorie
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
RF POWER TRANSISTORS
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
-
Paket/Koffer
-
Gerätepaket des Lieferanten
-
Gewinnen
-
Power-Max
-
Transistortyp
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
-
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
-
Frequenzübergang
-
Rauschzahl (dB Typ @ f)
-

BLF7G22L-130112 Garantien

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