NTE Electronics, Inc NTE16003
- NTE16003
- NTE Electronics, Inc
- T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- NTE16003 Datenblatt
- TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
- Bag
- Lead free / RoHS Compliant
- 1021
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number NTE16003 |
Category Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Manufacturer NTE Electronics, Inc |
Description T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS |
Package Bag |
Series - |
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ) |
Mounting Type Stud Mount |
Package / Case TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud |
Supplier Device Package TO-60 |
Gain - |
Power - Max 11.6W |
Transistor Type NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce - |
Frequency - Transition 500MHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) - |
Package_case TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud |
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