EPC2010C

EPC EPC2010C

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  • EPC2010C
  • EPC
  • GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • EPC2010C Datenblatt
  • Die
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1208
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
EPC2010C
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
eGaN®
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Gerätepaket des Lieferanten
Die Outline (7-Solder Bar)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @Id
2.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
540 pF @ 100 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
5V

EPC2010C Garantien

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