EPC EPC2012CENGR
- EPC2012CENGR
- EPC
- TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2012CENGR Datenblatt
- Die
- Die
-
Lead free / RoHS Compliant
- 987
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Teilenummer EPC2012CENGR |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
Paket Die |
Serie eGaN? |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die Outline (4-Solder Bar) |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 100pF @ 100V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 5V |
Vgs (Max) +6V, -4V |
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