FQB7N60TM_WS

Fairchild Semiconductor FQB7N60TM_WS

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  • FQB7N60TM_WS
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FQB7N60TM_WS Datenblatt
  • TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1697
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FQB7N60TM_WS
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Paket
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie
QFET?
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK (TO-263AB)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1430pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
30V

FQB7N60TM_WS Garantien

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