EPC EPC2065
- EPC2065
- EPC
- GAN FET 80V .0027OHM 8BUMP DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2065 Datenblatt
- Die
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3436
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer EPC2065 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung GAN FET 80V .0027OHM 8BUMP DIE |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
Verlustleistung (max.) - |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 25A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 7mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1449 pF @ 40 V |
Vgs (Max) +6V, -4V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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