NXP USA Inc. PSMN3R9-60XSQ
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- PSMN3R9-60XSQ
- NXP USA Inc.
- MOSFET N-CH 60V 75A TO220F
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PSMN3R9-60XSQ Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1100
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer PSMN3R9-60XSQ |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller NXP USA Inc. |
| Beschreibung MOSFET N-CH 60V 75A TO220F |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220F |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 55W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5494 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
PSMN3R9-60XSQ Garantien
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